Після конференції GTC 2024 в Мережі з’явилася фотографія стенду Samsung Electronics із зразками 12-ярусної пам’яті типу HBM3E поряд із схвальною резолюцією глави Nvidia. Проте, за джерелами Reuters, ця продукція досі не відповідає вимогам Nvidia. Навіть зразки пам’яті HBM3E, представлені на квітневому етапі сертифікаційних тестів, разом з більш зрілою HBM3, не пройшли тести через високий рівень енергоспоживання та тепловиділення.
У той же час, Samsung планує почати постачання 12-шарових мікросхем HBM3E до кінця наступного місяця, що потенційно випереджає SK hynix. Проте, ця компанія залишається першопрохідником у сегменті, працюючи над підвищенням обсягів випуску 8-шарової пам’яті HBM3E, яка є найбільш затребуваною клієнтами. SK hynix змогла підвищити рівень виходу придатної продукції сегменту HBM3E до 80%, скоротивши час виробничого циклу на 50%. HBM4, розроблений у співпраці з TSMC, випускається в компанії з метою випустити його на рік раніше, ніж Samsung, у 2025 році.